[发明专利]一种磁控溅射Low-E膜在审

专利信息
申请号: 202111451810.5 申请日: 2021-12-01
公开(公告)号: CN114045124A 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 卢尔本 申请(专利权)人: 上海尚傲新材料科技有限公司
主分类号: C09J7/50 分类号: C09J7/50;C09J7/29;C23C14/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/35
代理公司: 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 代理人: 张佑富
地址: 200000 上海市青浦区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种磁控溅射Low‑E膜,涉及膜材料领域。本发明包括基膜层、剥离层、防刮层,通过剥离层剥离后由安装胶层与玻璃表面相贴进行贴膜;基膜与复合胶之间依次设置有热反射镀膜层、Low‑E镀膜层;Low‑E镀膜层采用至少一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层;热反射镀膜层采用磁控溅射的方法镀至少一层金属化合物薄膜;由各层相互复合形成具有高透型、遮阳型或双银低辐射型的磁控溅射Low‑E膜。本发明能够根据需要获取高透光性、高遮阳性、低辐射透过性或者高可见光透过性及低太阳能透过率的性能,大大提高了膜使用的效率,综合效能由于普通的热反射镀膜玻璃;相对于现有的Low‑E玻璃更方便实用,便捷高效。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 low
【主权项】:
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