[发明专利]极紫外光刻掩模衍射谱的快速仿真方法在审
| 申请号： | 202111392142.3 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114139358A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 胡少博;李思坤;唐明;王向朝;张子南 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G03F1/22 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种极紫外光刻掩模衍射谱快速仿真方法，将掩模整体看作一个多层膜结构，划分为有吸收层覆盖区域和无吸收层覆盖区域。在斜入射情况下，基于等效膜层法计算两种区域膜层复反射系数，采用基尔霍夫近似计算掩模衍射谱。本发明方法可以快速仿真极紫外光刻掩模衍射谱，提高了斜入射情况下衍射谱的仿真精度。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光刻 衍射 快速 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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