[发明专利]一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片在审
| 申请号： | 202111373916.8 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114063212A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陶诗琦;孙昊骋 | 申请（专利权）人： | 上海安湃芯研科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 201803 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片，其特征在于，包括基底层、下包层、波导芯层、金属层和上包层；基底层、下包层和波导芯层自下而上连接，上包层位于波导芯层上方，金属层位于波导芯层中波导的两侧，并穿过上包层连接波导芯层和外界空气；基底层用作芯片支撑，下包层用作为波导芯层提供高折射率对比度，金属层用作电光调制或吸收杂散光，上包层用作保护所述波导芯层；波导芯层集成有分束调制芯片，用于对光源进行分束调制，波导芯层为薄膜铌酸锂。本申请在薄膜铌酸锂材料上实现了高集成度、小型化和低成本的分束调制芯片，同时确保了系统的高稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 基于 薄膜 铌酸锂 调制 芯片 | ||
【主权项】：
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