[发明专利]用于三稳态存储的存储单元有效
| 申请号： | 202111370758.0 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114171082B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 任天令;鄢诏译;侯展;田禾;杨轶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/414 | 分类号： | G11C11/414 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 花丽 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器和第二匀质反相器的沟长相同，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 稳态 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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