[发明专利]一种铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111360394.8 申请日: 2021-11-17
公开(公告)号: CN114231914A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 沈明礼;武姣姣;朱圣龙 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/16;C23C14/58
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层,其特征在于:所述的铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层化学成分为纯铬或铬原子百分比不低于95%的铬合金,其组织结构为单一择优取向的单层或多层细晶组织。铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层的制备方法,在真空中进行,通过密度不低于4.6×1020m‑2s‑1、荷能在90~900eV范围的铬离子流轰击方法在零件表面沉积涂层。本发明的优点:解决铜导体高温应用时严重氧化问题,以及其他类高温防护涂层应用于铜导体时涂层/基体互扩散导致的导电性能下降的难题。多种铬基涂层均可高效制备,工艺过程绿色无污染,适合各种铜导体制品,如块状零部件、铜导线等的涂层制备。
搜索关键词: 一种 导体 用低互 扩散 高温 氧化 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
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