[发明专利]高氢高导热耐γ辐照中子屏蔽材料及其制备在审
| 申请号： | 202111322291.2 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN113956616A | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 于广益;成鹏 | 申请（专利权）人： | 中广核高新核材科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;C08L67/00;C08L63/10;C08L79/08;C08L79/04;C08L61/00;C08K9/04;C08K3/38;C08K3/22;C08K3/26;C08K3/30;C08K5/098;G21F1/10;C09K5/14 |
| 代理公司： | 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 215400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及中子屏蔽材料领域，具体涉及一种高氢高导热耐γ辐照中子屏蔽材料及其制备。该中子屏蔽材料包括基体部分和改性中子吸收剂部分，重量比为100:1‑5；基体部分由重量比为15‑100:15‑100:5‑50:0.1‑10:0.1‑10的热固性树脂、固化剂、导热改性剂、抗氧剂和稳定剂组成；改性中子吸收剂部分由重量比为1‑5:1‑5的硼化物和金属框架配合物组成。本发明通过将硼引入到金属框架结构，配合加入热固性树脂、导热改性剂、抗氧剂和稳定剂，有效提高了材料的导热系数、H元素的质量分数以及对γ射线的屏蔽作用，其中，H元素的质量分数为7.50％‑9.00％，导热系数为0.60‑0.90W/(m*K)，经γ辐照后拉伸强度提高了20％。 | ||
| 搜索关键词： | 高氢高 导热 辐照 中子 屏蔽 材料 及其 制备 | ||
【主权项】：
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