[发明专利]双覆层去耦合结构、双极化天线及天线阵列在审

专利信息
申请号: 202111292980.3 申请日: 2021-11-03
公开(公告)号: CN113922050A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 褚庆昕;李祎昕 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01Q1/24 分类号: H01Q1/24;H01Q1/52;H01Q21/24
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 冯炳辉
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种双覆层去耦合结构、双极化天线及天线阵列,该双覆层去耦合结构包括第一去耦覆层和第二去耦覆层;所述第一去耦覆层位于天线上方,并形成为天线的部分反射表面,通过引入部分反射抵消天线之间的耦合场;所述第二去耦覆层为一介质层,并位于第一去耦覆层上方,其充当幅度和相位补偿器,通过引入幅度和相位补偿调控去耦频点和去耦带宽,使幅度和相位补偿频点向低频移动,最终通过第二去耦覆层有效提升天线隔离度,折中天线去耦性能和阻抗匹配性能,并实现去耦频点的灵活调节,同时不恶化天线阻抗匹配。
搜索关键词: 覆层 耦合 结构 极化 天线 阵列
【主权项】:
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