[发明专利]一种基于微波辐照快速制备二维纳米材料MXene的方法有效

专利信息
申请号: 202111291735.0 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN114031077B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 陶鹏;朱静;张竞一;邓涛;尚文;宋成轶;付本威 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C01B32/921 分类号: C01B32/921;C01B32/914;C01B32/949;B82Y40/00
代理公司: 南昌丰择知识产权代理事务所(普通合伙) 36137 代理人: 吴称生
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种基于微波辐照快速制备二维纳米材料MXene的方法,以微波辐照作加热条件,快速加热刻蚀剂,对母相原材料进行选择性刻蚀,再经由超声剥离分层制备而成。与现有的技术相比,本发明基于微波辐照加热的制备工艺将现有MXene制备时间从几十个小时缩短至十几分钟,有效解决了目前MXene制备时间长、操作复杂、成本高等问题。传统方法制备时还需要长时间的有机物的插层处理,而该方法在刻蚀过程中,水分子和离子的插层以及剧烈的反应气体释放大大削弱了MXene层间的结合力,短时间的超声处理即可得到少层、高质量的MXene,且适用于大规模制备。该产物有着与传统制备的MXene同样的高导电性,且近红外波段光的光热转换性能有了较大的提升。
搜索关键词: 一种 基于 微波 辐照 快速 制备 二维 纳米 材料 mxene 方法
【主权项】:
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