[发明专利]微系统电磁场微调介质腔体结构有效
| 申请号： | 202111278160.9 | 申请日： | 2021-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114050387B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 张先荣;张睿;王志辉;祁冬;陆宇 | 申请（专利权）人： | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) |
| 主分类号： | H01P1/207 | 分类号： | H01P1/207;H01P1/20 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 发明公开的一种微系统射频电磁场微调介质腔体装置，具有良好电磁隔离性能。本发明通过下述技术方案实现：顶底金属层顶端中央设有非金属矩形隔离池和围绕金属化的中心通孔并连通介质腔体的金属化圆阵孔，以及形成十字型线阵交叉连线的十字连线孔；在介质腔体底端的底部金属层上制有被隔槽分隔的绝缘平台及级联的芯片组，被隔槽分隔延伸至介质开口射频信号交换端口的微带传输线，相连芯片组形成与底部金属层共面的波导结构，结合介质腔体内壁建立了具有IBC的电磁散射特性的物理模型,电磁波在介质腔体内多次反射,通过金属化圆阵孔和十字连线孔来对介质腔体内部的射频性能进行调节，达到对三维集成及微系统集成封装后射频性能的调试。 | ||
| 搜索关键词： | 系统 电磁场 微调 介质 结构 | ||
【主权项】：
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