[发明专利]一种GaN功放负栅压偏置保护电路及其工作方法在审
| 申请号： | 202111262952.7 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113992164A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 卜智勇;张龙才 | 申请（专利权）人： | 成都中科微信息技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F1/32;H03F3/21 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN功放负栅压偏置保护电路及其工作方法，所述GaN功放负栅压偏置保护电路包括电源模块、AMC芯片U1、反向放大器U2、逻辑与门U3、耗尽型GaN功放管T1、PMOS功率开关管T2和NMOS开关管T3。本发明通过AMC芯片U1输出负栅压，并采用反向放大器U2钳位至高电平，然后利用逻辑与门U3使得反向放大器U2输出的钳位至高电平的正电压与5G移动通信业务级TDD时序电平均为高电平时才输出高电平，再配合PMOS功率开关管T2和NMOS开关管T3，实现5G移动通信TDD时序级控制GaN功放管在开启与关闭两个状态下的快速切换，达到降低功耗且不干扰接收通道的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 功放 负栅压 偏置 保护 电路 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
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