[发明专利]一种吩噁嗪基D-π-D型空穴传输材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111251291.8 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113896733A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 史松青;黄舒澄;谭海军 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;H01L51/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种吩噁嗪基D‑π‑D型空穴传输材料及其制备方法。以吩噁嗪为D单元、锌卟啉为桥连(π)单元制备合成的D‑π‑D锌卟啉分子体系的空穴传输材料，来调节分子内电子的跃迁能级，拓宽吸收光谱。本发明提供了吩噁嗪基D‑π‑D型空穴传输材料的合成路线，制得的吩噁嗪基锌卟啉空穴传输材料对可见光区的太阳光具有较好的吸收，在钙钛矿太阳能电池(Perovskite Solar Cells,PSCs)中具有很好的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吩噁嗪基 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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