[发明专利]一种通过相场法高效模拟枝晶生长的方法在审
| 申请号： | 202111241849.4 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113948158A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 耿汝伟;程延海;杜军;韩正铜 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学 |
| 主分类号： | G16C20/10 | 分类号： | G16C20/10 |
| 代理公司： | 北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙) 32205 | 代理人： | 周淑淑 |
| 地址： | 221000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种通过相场法高效模拟枝晶生长的方法，通过建立微观组织模拟的相场模型，并设置相场模拟的初始条件，柱状晶模拟的初始条件为计算域底部设置薄固相层，单个等轴晶模拟的初始条件为计算域中心设置小的晶核；在相场中确定计算域的移动边界位置，使边界上方为未受到扩散界面影响的纯液相区；在溶质场中确定计算域的移动边界位置，使边界上方为未受到溶质扩散影响的液相区；比较相场的移动边界和浓度场的移动边界，确定最终计算域边界；用新确定的计算域边界进行相场法的模拟，获得枝晶生长结果；本发明只针对计算域做出自适应控制，易于编程实现，还可以与自适应网格法、多重网格法等共同使用，能够提升计算效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 相场法 高效 模拟 生长 方法 | ||
【主权项】：
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