[发明专利]一种超导转变边沿传感器、制备方法及微量能器在审
| 申请号： | 202111194967.4 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113659067A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 黎发军;梁亚杰;王烨儒;王国乐;王思凡;丁骄;崔伟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/02;C23C14/18;C23C14/35;G01J1/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 任美玲 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超导转变边沿传感器、制备方法及微量能器，其中超导转变边沿传感器制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底的上表面形成超导金属薄膜；在所述超导金属薄膜的上表面形成正常金属薄膜，所述超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度之比为1‑10；所述超导金属薄膜和正常金属薄膜在真空腔内形成。通过在衬底上形成超导金属薄膜和正常金属薄膜，并使超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度之比保持在1‑10的范围内。通过对超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度比进行控制，提高了TES的转变温度Tc均匀性和转变区间可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 转变 边沿 传感器 制备 方法 微量 | ||
【主权项】：
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