[发明专利]高剩磁比高各向异性场SrM微波铁氧体材料及制备方法在审

专利信息
申请号: 202111180299.X 申请日: 2021-10-11
公开(公告)号: CN113860864A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 兰中文;戴越;余忠;孙科;邬传健;蒋晓娜 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622;H01F1/34;H01F41/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种高剩磁比高各向异性场SrM微波铁氧体材料及其制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。包括主配方和掺杂剂,主配方以Fe2O3、SrCO3、La2O3、CaCO3、Co2O3和Al2O3为原料,按照化学式Sr0.4La0.3Ca0.3Fe11.85‑xAlxCo0.15O19进行配比,其中,x=0.3~1.3;掺杂剂占主配方的重量百分比为:0.60~1.00wt%CaCO3、0.30~0.70wt%SiO2、0.10~0.40wt%H3BO3。本发明提供的一种高剩磁比高各向异性场SrM微波铁氧体材料,剩磁比大于80%,各向异性场大于21kOe,最大可达29kOe,工作频率大于60GHz。
搜索关键词: 剩磁 比高 各向异性 srm 微波 铁氧体 材料 制备 方法
【主权项】:
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