[发明专利]一种硅基介孔五价砷阴离子印迹聚合物的制备方法在审
| 申请号： | 202111174907.6 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113856649A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 徐斐;阴凤琴;徐峰;袁敏;曹慧;叶泰;吴秀秀 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | B01J20/26 | 分类号： | B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/10 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 梁剑 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种硅基介孔五价砷阴离子印迹聚合物的制备方法，本发明的印迹聚合物主要用于高效去除水中有毒重金属五价砷阴离子As(V)。本发明方法采用功能单体3‑[2‑(2‑氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基‑三甲氧基硅烷(AAAPTS)、辅助配体二乙烯三胺(DETA)与As(V)模板阴离子形成预聚合水溶液，后在碱性环境下通过“一锅法”共缩聚合成硅基介孔五价砷阴离子印迹聚合物(As(V)‑IIP)。该材料能高效吸附五价砷阴离子，10min即可达到吸附平衡，饱和吸附容量达78.74mg/g。本发明采用“一锅法”并结合溶胶凝胶技术制备印迹聚合物，实验过程简便；同时印迹位点分布在介孔材料表面利于缩短捕获和识别金属阴离子所需的时间，因此具有经济和实用的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基介孔五价砷 阴离子 印迹 聚合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
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