[发明专利]一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法在审
| 申请号： | 202111174609.7 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113802155A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 严振华;罗中跃;陈军;程方益;李海霞 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D3/38;C25D21/12 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，包括：步骤1)：将五水合硫酸铜用去离子水溶解，并加入少量浓硫酸配制成pH值为0.9‑1.1、硫酸铜含量为240‑260g/L的电解液；步骤2)：将铜片作为阳极、钛片作为阴极，施加脉冲电流进行电沉积，电沉积参数范围分别为沉积电流密度0.5A/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 高晶面 择优取向 铜箔 室温 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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