[发明专利]含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料及其制备方法在审
申请号: | 202111164035.5 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN113871604A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 侯佼;王兴蔚;朱杰;马勇;侯春平;贺超;杨丹 | 申请(专利权)人: | 博尔特新材料(银川)有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 银川瑞海陈知识产权代理事务所(普通合伙) 64104 | 代理人: | 贠天娥 |
地址: | 750011 宁夏回族自*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: |
本发明提供了一种含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料及其制备方法,以含硅矿物提纯样、纳米硅粉和碳包覆氧化亚硅微粉为硅源,经固相混合、喷雾造粒和低温热解后,控制HF浓度和反应时间,刻蚀部分SiO |
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搜索关键词: | 矿物 基多 孔硅碳 复合 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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