[发明专利]含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111164035.5 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113871604A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 侯佼;王兴蔚;朱杰;马勇;侯春平;贺超;杨丹 申请(专利权)人: 博尔特新材料(银川)有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 银川瑞海陈知识产权代理事务所(普通合伙) 64104 代理人: 贠天娥
地址: 750011 宁夏回族自*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明提供了一种含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料及其制备方法,以含硅矿物提纯样、纳米硅粉和碳包覆氧化亚硅微粉为硅源,经固相混合、喷雾造粒和低温热解后,控制HF浓度和反应时间,刻蚀部分SiO2形成微米级大孔作为一级缓冲结构,并以引入的低膨胀碳包覆氧化亚硅作为二级缓冲结构,然后,通过镁热还原和酸洗中间产物形成中孔‑大孔作为三级缓冲结构,得到多孔硅碳前驱体。最后,有机碳源经真空浸渍均匀包覆在前驱体表面形成四级缓冲结构,制备得到四重缓冲保护的核壳结构含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料。该含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料具有高容量、高倍率充放电性能、长循环寿命、加工性能优异,以及生产成本低等优点。
搜索关键词: 矿物 基多 孔硅碳 复合 负极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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