[发明专利]基于NMOS管的直流浪涌抑制电路在审
| 申请号： | 202111153544.8 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113972623A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 许文进;谭诚;殷赫;周蔚琦;薛雅心 | 申请（专利权）人： | 中国兵器装备集团上海电控研究所 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20;H02H3/22;H02H9/00;H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于NMOS管的直流浪涌抑制电路，包括：尖峰脉冲抑制电路、稳压电路、自举升压电路、控制模块和电子开关；所述尖峰脉冲抑制电路和供电电源的输出端Vin相连用来抑制±250V尖峰脉冲电压；所述稳压电路和自举升压电路相连为自举升压电路的555定时器提供电源电压；所述自举升压电路和电子开关相连以保证正常电压时电子开关的NMOS管能正常导通；所述控制模块和电子开关相连来控制电子开关的NMOS管的导通和截止。本发明基于NMOS的浪涌抑制电路相对于PMOS可靠性强，而且电路需承受250V以上的高压NMOS选择性更多，PMOS价格普遍较高，本发明采用NMOS管价格低，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nmos 直流 浪涌 抑制 电路 | ||
【主权项】：
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