[发明专利]一种考虑隔磁桥饱和的内置式永磁电机磁场解析方法在审
| 申请号： | 202111152204.3 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113946946A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 史婷娜;王慧敏;张振;颜冬;阎彦 | 申请（专利权）人： | 浙江大学先进电气装备创新中心;浙江大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/11;G06F17/14;G06F17/18;H02K1/16;H02K1/27 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 311107 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种考虑隔磁桥饱和的内置式永磁电机磁场解析方法。内置式永磁电机结构等效及子域划分；对各子域分别建立磁矢位方程并求得磁矢位通解；确定各环形域分界面的边界条件，对隔磁桥子域以及隔磁桥饱和溢出子域设置初始相对磁导率并带入边界条件得初始磁矢位特解，根据B‑H曲线得新的相对磁导率，迭代求得精确的磁矢位和相对磁导率；根据磁矢位得气隙磁通密度的径向分量和切向分量，进而得到内置式永磁电机的电机转矩与各相绕组反电动势。本发明适用于各种带有隔磁桥结构的内置式永磁电机，通过使用该解析模型可以提高磁场计算的准确度，进而提高各电磁性能的精确度，便于后续研究工作中精确而全面地对内置式永磁电机进行设计与优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 考虑 隔磁桥 饱和 内置 永磁 电机 磁场 解析 方法 | ||
【主权项】：
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