[发明专利]磁控溅射装置在审
| 申请号： | 202111141915.0 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113862628A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张浩;王国峰 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种磁控溅射装置，包括基台、靶材、溅射腔体和磁场调节器；所述溅射腔体用于密封所述基台、靶材和磁场调节器，所述磁场调节器包括第一腔体、至少两个磁体以及磁体间距控制模块，所述至少两个磁体设置在所述第一腔体内，所述两个磁体的顶部的磁极相反；所述磁体间距控制模块连接两个所述磁体，并控制两个磁体之间的间距变化；其中，所述磁体间距控制模块通过控制所述两个磁体中的其中一个磁体或两个磁体进行运动，以改变所述两个磁体之间的间距，使得两个磁体之间的磁场大小不断变化。通过不断改变磁体之间的间距使得两个磁体之间的磁场不断变化，从而改善靶材中间区域溅射量少，靶材整体利用率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
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