[发明专利]基于位错二维光栅阵列的双光栅结构三维微位移传感器在审
| 申请号： | 202111115058.7 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113819847A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 辛晨光;李孟委;亓杰;金丽;李晋华 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 杨凯;连慧敏 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于三维微位移传感器技术领域，具体涉及一种基于位错二维光栅阵列的双光栅结构三维微位移传感器，包括激光器、准直扩束镜、上层二维光栅、下层位错式光栅、四象限探测器，所述激光器的上方设置有准直扩束镜，所述准直扩束镜上设置有上层二维光栅，所述上层二维光栅上设置有下层位错式光栅，所述下层位错式光栅上设置有四象限探测器。本发明通过采用双层光栅结构，利用二维光栅在近场区域内的自成像效应，实现了透过光强随位移变化，并由四象限探测器实现光电转化，再通过整体结构输出的经细化后的电学信号进行精准三维位移测量，提高了整体结构的精度。同时，利用四象限结构实现了整体系统的高度集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 光栅 阵列 结构 三维 位移 传感器 | ||
【主权项】：
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