[发明专利]一种菱方相CuCrSe2有效

专利信息
申请号: 202111061901.8 申请日: 2021-09-10
公开(公告)号: CN113697777B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 王文亮;冯文玲;赵玉彤;刘燕;刘梦雪 申请(专利权)人: 曲阜师范大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;A61K33/34;A61K41/00;A61K49/00;A61K49/06;A61K49/18;A61K49/22;A61P35/00;B82Y5/00;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 山东知圣律师事务所 37262 代理人: 黄学国
地址: 272000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开一种菱方相CuCrSe2纳米材料及其制备方法和应用。所述CuCrSe2纳米材料的晶型为菱方相,其微观形貌为纳米级的盘状和/或多边形片状结构。所述制备方法包括步骤:(1)将含有可溶性铜源、铬源、硒源的高沸点反应介质进行溶剂热反应;(2)所述溶剂热反应完成后分离出其中的固体产物,去除其表面残留溶剂,即得。本发明的方法合成的菱方相CuCrSe2纳米材料结晶度高、单分散性高、形貌尺寸均一,且具有圆盘状或多边形片状结构的形貌。本发明方法的反应条件温和、工艺简单,实现了尺寸可控、形貌均一、结晶度高、单分散的菱方相CuCrSe2纳米材料的可控制备,这种纳米材料在光电子器件领域中具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 菱方相 cucrse base sub
【主权项】:
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