[发明专利]一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法在审
申请号: | 202111028270.X | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN115939927A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 朱振;赵凯迪;李志虎 | 申请(专利权)人: | 山东华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/02;B23K35/40 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 陈桂玲 |
地址: | 250101 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法。所述方法包括步骤如下:在GaAs基大功率激光器芯片的P面粘附一层石墨烯薄膜,然后采用石墨烯‑In52Sn48合金混合焊料,通过低温焊接的方法封装至基础热沉上。本发明在芯片P面覆盖一层石墨烯薄膜,再通过石墨烯‑In52Sn48合金混合焊料焊接至基础热沉上,增大了芯片与热沉的接触面积,石墨烯材料的高热导率可以快速的将有源区所产生的废热进行传递到热沉中,降低了芯片的热梯度,极大地加强了封装模块的散热效果,相较于传统方法封装的GaAs基大功率激光器可靠性、稳定性和散热效果得到了明显的增强,同时提高了激光器使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 散热 效率 gaas 大功率 激光器 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】:
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