[发明专利]一种阈值电压可调的大电流场发射二极管及其加工方法有效
| 申请号： | 202111014381.5 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113675058B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘海涛;江佳;胡贝妮;宋凌辉;屈安登;王宇萧 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 项晓丹 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阈值电压可调的大电流场发射二极管及其加工方法，包括能够相互靠近或远离的底部玻璃层和锥尖发射体，在所述底部玻璃层朝向所述锥尖发射体的端面上设有阴极电极、阳极电极和控制电极，所述阴极电极与所述锥尖发射体连接，所述底部玻璃层和所述锥尖发射体在所述控制电极的控制电压变大时相互靠近，并在所述控制电极的控制电压变小时相互远离。本方案通过对控制电极上的控制电压的大小进行调节，就可以达到增大或减小场发射二极管的阈值电压的目的，由此就实现了方便的对场发射二极管的阈值电压进行调节的目的，并由此提高了场发射二极管的通用性和使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 可调 电流 发射 二极管 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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