[发明专利]一种三维碳结构负载GaN催化剂及其制备方法在审
| 申请号： | 202110997157.6 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113764688A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王如志;杨孟骐 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/90 | 分类号： | H01M4/90;H01M4/88 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种三维碳结构负载GaN催化剂及其制备方法属于燃料电池催化剂技术领域。本方法由以下步骤组成：1)多种结构碳基材料通过前处理工艺得到三维碳结构粉体；2)将三维结构碳粉体进行等离子体处理，得到表面活化的三维结构碳粉；3)采用微波等离子体化学气相沉积系统制备GaN纳米材料；4)将GaN纳米材料转移至泡沫镍电极表面，在水溶液中对三维碳结构进行静电吸附；5)将吸附GaN纳米材料的三维碳结构进行退火处理，得到三维碳结构负载GaN催化剂。本发明所制备的三维碳结构负载GaN催化剂质量活性大于100mA/mgGaN@0.9V，10000圈老化测试后，其质量活性衰减小于20％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 结构 负载 gan 催化剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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