[发明专利]一种基于银纳米颗粒改性碳化钛的场效应晶体管气体传感器及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110993969.3 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113777147B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 毛舜;徐齐昆;宗博洋 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 顾艳哲 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于银纳米颗粒改性碳化钛的场效应晶体管气体传感器及其制备方法与应用，场效应晶体管气体传感器包括由下至上依次设置的硅栅极、二氧化硅层、叉指电极区，以及银纳米颗粒改性碳化钛层；其中叉指电极区包括以叉指形式分布的源极和/或漏极，相邻的源极与漏极之间通过银纳米颗粒改性碳化钛层电性连接；制备方法包括将银纳米颗粒改性碳化钛水相分散液滴涂于叉指电极区上，干燥后即得到场效应晶体管气体传感器。与现有技术相比，本发明利用碳化钛表面负载的银纳米颗粒与硫化氢间的强化学作用实现对目标气体的快速高效检测，具有沟制备工艺简单、响应灵敏、运行成本低等优点，对场效应晶体管在气体传感器领域的推广具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 颗粒 改性 碳化 场效应 晶体管 气体 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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