[发明专利]一种非中心对称超导拓扑电子材料的分析方法及系统在审

专利信息
申请号: 202110993795.0 申请日: 2021-08-27
公开(公告)号: CN113808685A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 曹崇德;宋杰玺;秦彦卿;汪姚岑;白晓军;汪芳 申请(专利权)人: 西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
主分类号: G16C60/00 分类号: G16C60/00
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 洪珊珊
地址: 518057 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于计算物理和材料学领域,提供了一种非中心对称超导拓扑电子材料的分析方法,包括步骤:S1、搭建XVSe2电子材料的非中心对称晶体结构模型,并判定其稳定性;S2、筛选出满足稳定性的晶体结构,计算XVSe2电子材料的基态能带结构和能量本征值;S3、基于计算获得的基态能带结构和能量本征值,构建紧束缚模型并判定XVSe2电子材料的拓扑性;S4、根据密度泛函微扰理论和电子声子耦合理论获得满足拓扑性的XVSe2电子材料的超导转变温度值。本发明还在于提供一种非中心对称超导拓扑电子材料的分析系统,本发明的优点在于可以十分简单的判断含特定元素X的非中心对称XVSe2材料的结构稳定性,其针对性更强,会节省大量的人力物力,提高了材料制备的效率。
搜索关键词: 一种 中心对称 超导 拓扑 电子 材料 分析 方法 系统
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