[发明专利]高压转低压电路在审
| 申请号： | 202110993501.4 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN115729303A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 刘玉芳;张天舜 | 申请（专利权）人： | 华润微集成电路（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压转低压电路，其中，所述的电路包括芯片内部单元以及芯片外部单元，所述的芯片内部单元包括：运算放大器(AMP)，所述的运算放大器(AMP)的反向输入端与标准电压生成电路相连接；NMOS场效应管(N1)，所述的运算放大器(AMP)的输出端与所述的NMOS场效应管(N1)的栅极相连接；所述的芯片外部单元包括NPN型三极管，所述的NPN型三极管的基极与所述的NMOS场效应管(N1)的漏极相连接。采用该种结构的高压转低压电路，通过电阻连接三极管栅极和高压输入端，使电路完成自启动，通过二极管降压使得芯片内部无高压，且芯片内部无需高压器件，制造成本低，外部高压器件既可使用三极管也可使用JFET，通用性强，并且输出电压稳定，可靠性高，稳定系数和内部带隙基准一致。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 低压 电路 | ||
【主权项】：
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