[发明专利]用于密集VCSEL设计的沟槽工艺在审
申请号: | 202110991957.7 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN114256741A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | M·撒达卡;D·J·努拉格 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 邹丹 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及用于密集VCSEL设计的沟槽工艺。描述了带沟槽的VCSEL发射器结构。在一个实施方案中,发射器结构包括非均匀分布的发射器的群集,其中每个发射器包括内部台面沟槽,和从该内部台面沟槽延伸的氧化物孔口层的氧化部分。外部壕式沟槽邻近于该内部台面沟槽而定位,并且形成为达到超过该氧化物孔口层的深度。 | ||
搜索关键词: | 用于 密集 vcsel 设计 沟槽 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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