[发明专利]一种纳米晶的难熔高熵合金NbMoTaW-Cu复合材料制备方法有效
| 申请号： | 202110971209.2 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113652566B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 侯超;罗锦阳;宋晓艳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;B22F9/04;B22F3/105;C22C30/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种纳米晶的难熔高熵合金NbMoTaW‑Cu复合材料制备方法，属于高熵合金和粉末冶金技术领域。该复合材料具有纳米晶结构的NbMoTaW难熔高熵相，并且具有很宽的成分可调控范围。制备方法包括以下步骤：先制备纳米晶NbMoTaW单相合金粉末，将微米级Cu粉与NbMoTaW合金粉末进行行星式球磨均匀混合，然后进行加压烧结。本发明可以获得更加优异的力学性能，扩展双相金属复合材料的应用领域，延长其服役寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 难熔高熵 合金 nbmotaw cu 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110971209.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种准分子灯
- 下一篇：一种基于FPGA的LED屏支付码显示装置
