[发明专利]一种小周期Z切压电晶片、薄膜、波导及其制备方法在审
| 申请号： | 202110963333.4 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113640915A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;叶志霖;吴剑波;倪荣萍;李胜雨;张虞;许志城 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02F1/35;G02F1/365;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开一种小周期Z切压电晶片、薄膜、波导及其制备方法，所述小周期Z切压电晶体晶片，以及基于所述晶片制备的薄膜和波导均具有超晶格结构，并且，所述超晶格结构的周期可以达到6μm以下，甚至可达2μm，并且，所述超晶格结构均具有较为平整的电畴壁，所述超晶格结构通过在晶片上下表面设置具有套刻差的电极对制备，所述方法简便，易于操作，工艺条件易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 周期 压电 晶片 薄膜 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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