[发明专利]一种构建锆石二次离子质谱年龄三维分布图像的方法在审

专利信息
申请号: 202110951489.0 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN113791131A 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 何升;郭冬发;崔建勇;刘瑞萍;武勇;范增伟;刘桂方;林燕 申请(专利权)人: 核工业北京地质研究院
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 陈丽丽
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于二次离子质谱原位微区同位素测试领域,具体公开了一种构建锆石二次离子质谱年龄三维分布图像的方法,包括:步骤1、剥蚀坑深度测量与深度估计;步骤2、构建同位素比值与剥蚀深度之间的关系;步骤3、分馏校正;步骤4、深度叠加;步骤5、构建锆石年龄分布三维图像。本发明方法以锆石作为研究的突破口,采用点线面体结合的方式,建立锆石年龄分布三维成像技术,以提供微小区域下同位素的空间变化特征。
搜索关键词: 一种 构建 二次 离子 年龄 三维 分布 图像 方法
【主权项】:
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