[发明专利]一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构有效
| 申请号： | 202110933817.4 | 申请日： | 2021-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN113839619B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 苏国东;王禁城;董洪成;刘军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12;H03B19/14;H03L7/16 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明为一种高功率、高效率的片上硅基双模太赫兹信号源结构，其中通过设置压控振荡器阵列中的输出信号通过片上合路器，将多路压控振荡器输出的功率进行合成，同时提高有源电路，包括压控振荡器阵列以及倍频器电路的输出功率，以提高太赫兹源输出功率；通过提高压控振荡器中的电感的品质因子，以及减小片上合路器的损耗来提高太赫兹源的效率；通过在倍频器电路中设置带阻网络接地，减小频率信号泄露到地，保证信号尽可能从输出端输出，提高功率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 高效率 片上硅基 双模 赫兹 信号源 结构 | ||
【主权项】：
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