[发明专利]改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法在审
| 申请号： | 202110932079.1 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113637947A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈东伟;周云;宋维聪 | 申请（专利权）人： | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李艾 |
| 地址： | 215413 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法，包括靶材本体，所述靶材本体为溅射面是凹弧面的半球形，所述靶材本体的背面安装于靶材背板上，所述靶材背板另一侧设置有磁性部，所述靶材本体、靶材背板和磁性部同轴设置，且所述靶材背板及磁性部与所述靶材本体的溅射面的形状相匹配。设备还包括箱体和加热器，靶材组件的形状通过设计方法得出。本发明的靶材组件能够提高对基片上深孔填充的均匀性；溅射设备在保证填充均匀性的同时，减小了薄膜的内应力，提高成膜的致密度；设计方法，操作简单，得到的靶材组件填充均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 填充 均匀 组件 溅射 设备 设计 方法 | ||
【主权项】：
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