[发明专利]一种基于二维绝缘材料的多层真空纳米沟道晶体管在审
| 申请号： | 202110920178.8 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113643949A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 徐季;张晓兵;杨文鑫 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J21/14 | 分类号： | H01J21/14;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 薛雨妍 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维绝缘材料的多层真空纳米沟道晶体管，该多层真空纳米沟道晶体管自下而上依次包括绝缘衬底、栅极、二维绝缘体、发射极以及收集极；所述真空纳米沟道，所述二维绝缘材料，指代以六方氮化硼（h‑BN）为代表的二维纳米材料，具有优异的稳定性、平坦的表面和理想的绝缘性能；所述真空纳米沟道晶体管，载流子在栅极的偏置电压调控下，以场致电子发射或隧穿的形式在真空纳米沟道内部弹道输运；所述真空纳米沟道晶体管，仍保留传统电真空器件的固有优势，具有高稳定性和抗辐照特性，所述器件可以在高温、辐射等极端环境下正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 绝缘材料 多层 真空 纳米 沟道 晶体管 | ||
【主权项】：
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