[发明专利]晶圆结构在审
申请号: | 202110902117.9 | 申请日: | 2021-08-06 |
公开(公告)号: | CN114536980A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 莫皓然;张英伦;戴贤忠;韩永隆;黄启峰;郭俊毅 | 申请(专利权)人: | 研能科技股份有限公司 |
主分类号: | B41J2/14 | 分类号: | B41J2/14 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 喻学兵 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
一种晶圆结构,包含:一芯片基板;多个喷墨芯片,包含多个墨滴产生器;每一该墨滴产生器,进一步包含一热障层、一加热电阻层、一保护层,而该热障层形成于该芯片基板上,该加热电阻层形成于该热障层上,而该保护层的一部分形成于该加热电阻层上,而该障壁层形成于该保护层上,且该供墨腔室底部连通该保护层,该供墨腔室顶部连通该喷孔,其中该热障层的厚度为 |
||
搜索关键词: | 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于研能科技股份有限公司,未经研能科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110902117.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:存储装置和制造存储装置的方法
- 下一篇:晶圆结构