[发明专利]晶圆结构在审

专利信息
申请号: 202110902117.9 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN114536980A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 莫皓然;张英伦;戴贤忠;韩永隆;黄启峰;郭俊毅 申请(专利权)人: 研能科技股份有限公司
主分类号: B41J2/14 分类号: B41J2/14
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 喻学兵
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种晶圆结构,包含:一芯片基板;多个喷墨芯片,包含多个墨滴产生器;每一该墨滴产生器,进一步包含一热障层、一加热电阻层、一保护层,而该热障层形成于该芯片基板上,该加热电阻层形成于该热障层上,而该保护层的一部分形成于该加热电阻层上,而该障壁层形成于该保护层上,且该供墨腔室底部连通该保护层,该供墨腔室顶部连通该喷孔,其中该热障层的厚度为该保护层的厚度为该加热电阻层的厚度为该加热电阻层的长度为5~30微米(μm),该加热电阻层的宽度为5~10微米(μm)。
搜索关键词: 结构
【主权项】:
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