[发明专利]一种光电神经突触忆阻器

摘要

本发明公开一种光电神经突触忆阻器，其结构由下至上依次包括底电极层、量子点修饰多孔结构层、二维材料层、透明顶电极层、光波导层；其特征在于：所述的光波导层为脊形光波导，具有传导光的作用，其包括有楔形输出端，经所述的光波导层的楔形输出端，可以将光垂直射入二维材料层和量子点修饰多孔结构层中。本发明通过集成光波导与光电神经突触功能结构，得到具有高对准和限域的光电控制特性，对于光电神经突触器件当中，光电协同作用的控制具有优势。可控性强，性能优异，在高密度存储计算，人工突触模拟，人工智能等领域应用广泛，有利于探索新型的类脑神经的工作机制。