[发明专利]一种磁通门磁饱和保护电路及磁饱和检测方法在审
| 申请号： | 202110873277.5 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113655417A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳南云微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12;H02H3/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁通门设计领域，特别涉及一种磁通门磁饱和保护电路及磁饱和检测方法，磁通门磁饱和保护电路，包括：桥式震荡电路、磁环、频率采样电路以及信号处理电路。当磁通门发生磁饱和现象时，体现出来的特征为驱动频率的突然增加，通过频率采样电路，采样系统的震荡频率，信号处理电路判断出高频状态下系统处于磁饱和状态，并输出保护信号，从而有效解决当下磁通门磁饱和工作异常的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁通门磁 饱和 保护 电路 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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