[发明专利]增强离子电流的发射极结构在审
| 申请号： | 202110870227.1 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN114121577A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 赖韦侨;林君岳;黄英硕;张维哲;萧静瑜;游宇丰;杨宗宇 | 申请（专利权）人： | 埃尔思科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种增强离子电流的发射极结构，包含一针尖部及一针柄部。针尖部形成于增强离子电流的发射极结构的前端，具有针尖点、第一直径以及曲率半径。针柄部形成于增强离子电流的发射极结构前端的针尖部之后，其中针柄部连同针尖部的长度由针尖部的针尖点至针柄部的第一端点位置计算，针尖点至第一端点位置的第一距离为300倍的该第一直径，针尖部的曲率半径介于50奈米至5微米之间，第一直径为2倍该曲率半径。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 离子 电流 发射极 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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