[发明专利]基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法有效
| 申请号： | 202110826233.7 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113725723B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王健军;江蔼庭;王青;赵风春 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵丽婷 |
| 地址： | 100020 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法。所述VCSEL芯片包括：外延结构，以及形成在所述外延结构上的电镀种子层，所述电镀种子层包括TiW层和Au层，所述外延结构与所述电镀种子层之间具有SiN钝化层；所述方法包括：(1)对所述Au层进行第一湿法刻蚀；其中，所述第一湿法刻蚀利用KI溶液进行；(2)对所述TiW层进行ICP干法刻蚀和第二湿法刻蚀，完成所述电镀种子层金属的刻蚀；其中，所述第二湿法刻蚀利用双氧水或含氟试剂进行。该方法既可以避免湿法刻蚀TiW层带来多重叠加侧蚀量的问题，又可以将ICP干法刻蚀中侧壁可能残留的TiW完全去除，且不会影响划片道外观。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sin 钝化 保护 vcsel 芯片 电镀 种子 金属 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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