[发明专利]一种Cap layer层蚀刻优化方法

摘要

本发明公开了一种Cap layer层蚀刻优化方法，包括以下步骤：S1、准备全结构的外延片；S2、对所述外延片的N面进行翘曲补偿处理；S3、在所述外延片P面的Cap layer层上沉积一层光学膜；S4、将沉积有光学膜的外延片进行欧姆接触光刻，使光刻胶边缘具有倾角；S5、利用干法刻蚀，刻蚀掉所述光刻胶覆盖范围以外的光学膜；S6、进行欧姆接触金属沉积，将金属沉积在刻蚀掉的区域内，使沉积后的金属与所述光刻胶边缘的倾角和Cap layer层紧密接触；S7、使用SN830溶液去除所述光刻胶。通过该工艺方法，使沉积后的金属与光刻胶紧密贴合，避免SN830溶液对Cap layer层造成蚀刻现象，增大了选择比，方便控制蚀刻角度，提升芯片的良率并且极大程度地保护了芯片的性能。