[发明专利]一种单晶再生长方法在审
| 申请号： | 202110793429.0 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113668044A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 胡昌勇;李勇 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40;C30B29/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 404000 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶再生长方法，包括以下步骤：S1、将单晶生长所需的籽晶和物料封装在石英管中，投入单晶炉中完成一次单晶生长后出炉；S2、检查石英管密封性是否完好，若完好即进入S3，否则进入S9；S3、对石英管顶部进行加热处理，使石英帽内壁附着的物料气化转移；S4、透过石英帽观察晶体尾部是否存在缺陷，若存在缺陷则进入S5，否则进入S9；S5、将石英管重新投入单晶炉中，调高温度使晶体熔化；S6、改变单晶再生长的生长参数；S7、控制单晶再生长时籽晶的熔融深度；S8、完成单晶再生长后出炉。本发明在一次单晶生长完成的基础上，判断达到再生长的条件后，再次投炉进行单晶再生长的过程。提高了单晶体的纯度的同时也提高了原料利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 再生 方法 | ||
【主权项】：
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