[发明专利]一种图案化SiC微细结构及其应用有效
| 申请号： | 202110768585.1 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113497361B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王维;刘婉莎;谢春晓;杨为佑;孙振忠 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;B82Y30/00;G01J3/42 |
| 代理公司： | 东莞市汇橙知识产权代理事务所(普通合伙) 44571 | 代理人： | 黎敏强 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种图案化SiC微细结构及其应用。该图案化SiC微细结构为在6H‑SiC晶片基板上的图案化金膜上生长的SiC纳米针阵列，纳米针垂直于金膜的表面，具有渐缩的竹节状几何形状以及尖锐的尖端。纳米针长为0.1‑100μm，根部直径约为180nm，尖端直径约为10nm。该图案化SiC微细结构作为太赫兹吸波材料。本发明的图案化SiC微细结构太赫兹吸波材料具有增强的吸波性能,且对入射角度不敏感。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 sic 微细 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞理工学院，未经东莞理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110768585.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
