[发明专利]消除光刻显影残留的方法在审
| 申请号： | 202110767240.4 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113608417A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除光刻显影残留的方法，在晶圆完成清洗干燥之后，在晶圆上涂光刻胶，经坚膜之后进行曝光及烘烤，然后放入显影液中进行显影步骤；在显影时，对晶圆表面喷涂显影液，使显影液与曝光之后的光刻胶进行反应，显影完成之后对所述晶圆表面进行冲洗，以去除已经发生聚合反应的光刻胶；在冲洗时，晶圆承台带动晶圆进行顺时针及逆时针的交替旋转，向晶圆上喷洒清洗液；清除晶圆上需要被去除的光刻胶。本发明方法在清洗时将晶圆正反向交替旋转，使晶圆上的显影残留能被多方向的冲击力震离晶圆表面，克服了单向旋转时某些图形对残留光刻胶的阻挡，使之难以被从晶圆上去除的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 光刻 显影 残留 方法 | ||
【主权项】：
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