[发明专利]一种膨润土纳米颗粒QCM-D芯片及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110753066.8 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113484199A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 苗瑞;王磊;张文娟;裘晓晓;周优雅;杨程舒 申请(专利权)人: 西安建筑科技大学
主分类号: G01N15/00 分类号: G01N15/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710055 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片及制备方法,包括:将QCM‑D二氧化硅基础芯片在强碱高温条件下进行活化处理;对膨润土颗粒进行预处理,并配制膨润土纳米颗粒悬浮液;将已活化的二氧化硅基础芯片的正面浸渍于聚乙烯亚胺溶液中,形成均一粘接层;将所得含有粘结层的芯片浸渍于膨润土纳米颗粒悬浮液中,之后用氮气吹干并置于150℃烘箱中进行热处理,获得膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片。该方法实现了基础芯片表面纳米级厚度、均匀且不易脱落膨润土功能层的制备,获得了膨润土纳米颗粒QCM‑D芯片,利用该芯片可实现水体中污染物在膨润土表面吸附累积行为的监测。
搜索关键词: 一种 膨润土 纳米 颗粒 qcm 芯片 制备 方法
【主权项】:
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