[发明专利]一种耐真空紫外辐照有机硅氧烷及其设计与制备方法在审

专利信息
申请号: 202110751042.9 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113788948A 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 李朝龙;朴明星;王啸;史浩飞 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: C08G77/42 分类号: C08G77/42
代理公司: 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 代理人: 王翔
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种耐真空紫外辐照有机硅氧烷及其设计与制备方法。通过化学方法,在石墨烯量子点或者富勒烯表面接枝聚合有机硅氧烷分子链,获得一种杂化结构的耐真空紫外辐照树脂。克服了现有有机硅氧烷树脂材料耐紫外性能低的缺陷。
搜索关键词: 一种 真空 紫外 辐照 有机硅 及其 设计 制备 方法
【主权项】:
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