[发明专利]一种高剩磁利用率四环型聚焦磁场装置有效
申请号: | 202110737489.0 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113470923B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 尹鹏程;魏彦玉;徐进;岳玲娜;殷海荣;赵国庆;王文祥;方栓柱;杨瑞超;罗瑾璟;张建;贾栋栋 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01J23/087 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 林菲菲 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种高剩磁利用率四环型聚焦磁场装置,包括多个用于产生磁场的环状磁铁和多个用于导磁的软磁结构;所述多个用于产生磁场的环状磁铁和多个用于导磁的软磁结构相互配合且沿同一轴线嵌套设置。本发明拥有较为紧凑的设计,能够充分利用磁块中的剩磁,使得中间磁路上的磁场非常接近磁块的剩磁;能够对带状电子注进行有效的聚焦;拥有较好的磁屏蔽效果,避免磁场干扰电子枪;中间磁路上的磁场较为均匀;磁场从零越变到均匀段的距离较短。 | ||
搜索关键词: | 一种 剩磁 利用率 四环型 聚焦 磁场 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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