[发明专利]一种高剩磁利用率四环型聚焦磁场装置有效

专利信息
申请号: 202110737489.0 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113470923B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 尹鹏程;魏彦玉;徐进;岳玲娜;殷海荣;赵国庆;王文祥;方栓柱;杨瑞超;罗瑾璟;张建;贾栋栋 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02;H01J23/087
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 林菲菲
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高剩磁利用率四环型聚焦磁场装置,包括多个用于产生磁场的环状磁铁和多个用于导磁的软磁结构;所述多个用于产生磁场的环状磁铁和多个用于导磁的软磁结构相互配合且沿同一轴线嵌套设置。本发明拥有较为紧凑的设计,能够充分利用磁块中的剩磁,使得中间磁路上的磁场非常接近磁块的剩磁;能够对带状电子注进行有效的聚焦;拥有较好的磁屏蔽效果,避免磁场干扰电子枪;中间磁路上的磁场较为均匀;磁场从零越变到均匀段的距离较短。
搜索关键词: 一种 剩磁 利用率 四环型 聚焦 磁场 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110737489.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top