[发明专利]基于一次曝光的光刻方法在审
| 申请号： | 202110710773.9 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113325672A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陈超;陈忠奎 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于一次曝光的光刻方法，包括：提供置于承载台上的衬底；在所述衬底上涂覆光刻胶形成光刻胶层；将所述光刻胶层划分为多个区域；使用激光束对多个所述区域的所述光刻胶分别进行曝光，其中：在对每个所述区域的所述光刻胶进行曝光时，沿着所述激光束的传输方向，实时移动所述承载台改变所述激光束到达所述光刻胶内的深度，以使得激光束能连续曝光同一区域内不同深度的光刻胶，直到完成同一所述区域的所有光刻胶的曝光；对曝光后的光刻胶进行显影。在本发明中，可以减少曝光工艺的时间，提高光刻机的使用效率，减少光刻成本，并且提高光刻图形稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 一次 曝光 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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