[发明专利]一种GIS/GIL支撑绝缘子法兰处局部放电抑制方法有效
| 申请号： | 202110701206.7 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113470907B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张冠军;王超;李文栋;尹昊阳;杨雄;张宇程 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01B19/00 | 分类号： | H01B19/00;B29C64/386;B29C39/10;B29C69/02;B33Y50/00;G06T7/181;G06T7/11 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GIS/GIL支撑绝缘子法兰处局部放电抑制方法，以降低法兰侧局部气隙区域内电场强度为优化目标，利用变密度或水平集算法求解支撑绝缘子法兰侧绝缘内部介电参数的最优空间分布；利用图像分割算法提取出高介电区域的几何轮廓，并通过参数建模的方式获得高介电区域的几何形状的CAD图纸。考虑浇注后制件的机械性能及界面粘结强度引入介电功能梯度材料分布，完善高介电区域制件的结构设计，并通过高介电填料/聚合物共混的方式制备高介电复合材料，利用3D打印完成制件的制造。最后，将高介电制件放入传统环氧浇注金属模具中，浇注热固化环氧树脂完成支撑绝缘子的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gis gil 支撑 绝缘子 法兰 局部 放电 抑制 方法 | ||
【主权项】：
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