[发明专利]一种荧光传感器检测痕量Hg2+在审

专利信息
申请号: 202110695591.9 申请日: 2021-06-23
公开(公告)号: CN113358624A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 黎舒怀;庞朝海;马雄辉;王明月;张群 申请(专利权)人: 中国热带农业科学院分析测试中心
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 焦伟丽
地址: 571101 *** 国省代码: 海南;46
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摘要: 发明适用荧光传感器技术领域,提供一种荧光传感器检测痕量Hg2+的方法,包括以下步骤:水样品处理、合成水溶性Au@GQDs、样品检测、制备工作曲线、结果分析。本发明实施例采用水热法合成了新型Au@GQDs量子点纳米材料,并将其作为荧光量子点探针,利用Hg2+对Au@GQDs荧光猝灭作用,建立了测定痕量Hg2+的新方法,将此方法应用于实际样品中的Hg2+检测,获得令人满意的结果。此方法操作简单,快速,灵敏度高,重现性好。解决了现有检测Hg2+的方法灵敏度不够,前处理过程和较长的分析周期的问题。
搜索关键词: 一种 荧光 传感器 检测 痕量 hg base sup
【主权项】:
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